Силовые компоненты

Пример изображенияПриглашаем Вас ознакомиться с номенклатурным перечнем нашего склада по силовым диодам, тиристорам, симисторам, трехфазным мостам и тд. Эквивалент гривневой цены на продукцию определяется по коммерческому курсу на момент осуществления платежа. Текущий курс при розничной продаже UAH по отношению к USD указан на главной старнице сайта в правом информационном блоке.

Кроме того, редкие и дефицитные позиции есть возможность поставлять под заказ! Милости просим!

ОПТОВЫЙ ПРАЙС

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
  Цена опта  указана за 1шт. 
Наименование, основные параметрыпроизводительзав.упак.цена опта
94Д112-25-12       <Диод силовой, имп. аналог>25A, 1200V100$1,45
95Д112-25X-12   <Диод с обратной полярностью><=, 25A, 1200V100$1,42
96Д112-25-14       <Диод силовой, имп. аналог>25A, 1400V100$1,42
97Д112-25-16       <Диод силовой, имп. аналог>25A, 1600V100$1,42
98Д112-25X-16   <Диод с обратной полярностью><=, 25A, 1600V100$1,42
99Д122-40-12       <Диод силовой, имп. аналог>40A, 1200V10$3,35
100Д132-50-12       <Диод силовой, имп. аналог>50A, 1200V50$4,24
101Д132-50X-12   <Диод с обратной полярностью><=, 50A, 1200V50$4,24
102Д132-50-16       <Диод силовой, имп. аналог>50A, 1600V50$4,24
103Д132-80-10       <Диод силовой, имп. аналог>80A, 1000V50$4,59
104Д132-80-12       <Диод силовой, имп. аналог>80A, 1200V10$4,59
105Д132-80X-12   <Диод с обратной полярностью><=, 80A, 1200V50$4,59
106Д132-80-14       <Диод силовой, имп. аналог>80A, 1400V50$4,59
107Д132-80-16       <Диод силовой, имп. аналог>80A, 1600V50$4,59
108Д132-80X-16   <Диод с обратной полярностью><=, 80A, 1600V50$4,59
109Д141-100-12     <Диод силовой, имп. аналог>100A, 1200V3$11,63
110Д141-100-14     <Диод силовой, имп. аналог>100A, 1400V3$11,63
111Д141-100X-14  <Диод с обратной полярностью><=, 100A, 1400V3$11,63
112Д141-100-16     <Диод силовой, имп. аналог>100A, 1600V3$11,63
113Д161-200-12     <Диод силовой, имп. аналог>200A, 1200V3$20,93
114Д161-200-16     <Диод силовой, имп. аналог>200A, 1600V3$20,93
115Д161-200X-16  <Диод с обратной полярностью><=, 200A, 1600V3$20,93
116Д161-250-12     <Диод силовой, имп. аналог>250A, 1200V3$22,32
117Д161-250X-12  <Диод с обратной полярностью><=, 250A, 1200V3$22,32
118Д161-250-16     <Диод силовой, имп. аналог>250A, 1600V3$22,32
119Д161-320-12     <Диод силовой, имп. аналог>320A, 1200V3$22,79
120Д161-320-16     <Диод силовой, имп. аналог>320A, 1600V3$22,79
121Д161-320X-16  <Диод с обратной полярностью><=, 320A, 1600V3$23,25
122ДЛ112-10-12     <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>10A, 1200V100$1,65
123ДЛ112-25-12     <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>25A, 1200V100$1,69
124ДЛ122-40-16     <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>40A, 1600V100$4,82
125ДЛ132-50-16     <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>50A, 1600V100$5,85
126ДЛ132-80-16     <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>80A, 1600V100$6,20
127ДЛ161-200-12   <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>200A, 1200V100$22,53
128ДЛ161-200-16   <ЛАВИННЫЙ ДИОД,  аналог>200A, 1600V100$22,53
130MDQ100-10       <МОСТ 100A 1000V>Huajing3$15,41
131MDQ100-12       <МОСТ 100A 1200V>Huajing3$17,07
132MDQ200-10       <МОСТ 200A 1000V>Huajing3$37,94
133MDQ200-12       <МОСТ 200A 1200V>Huajing3$41,74
134MDQ300-10       <МОСТ 300A 1000V>Huajing3$47,43
135MDQ300-12       <МОСТ 300A 1200V>Huajing3$47,43
136MDS50-12       <ТРЕХФАЗН. МОСТ 50A 1200V>Huajing3$16,13
137MDS100-10     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 100A 1000V>Huajing3$17,55
138MDS100-12     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 100A 1200V>Huajing3$20,80
139MDS200-10     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 200A 1000V>Huajing3$41,50
140MDS200-12     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 200A 1200V>Huajing3$41,50
141MDS300-10     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 300A 1000V>Huajing3$52,17
142MDS300-12     <ТРЕХФАЗН. МОСТ 300A 1200V>Huajing3$52,17
143T122-25-12        <Тиристор силовой, импорт>25A, 1200V50$4,65
144T132-50-12        <Тиристор силовой, импорт>50A, 1200V10$6,98
145T132-50-14        <Тиристор силовой, импорт>50A, 1400V10$6,98
146T142-80-10        <Тиристор силовой, импорт>80A, 1000V10$10,46
147T142-80-12        <Тиристор силовой, импорт>80A, 1200V10$10,67
148T142-80-16        <Тиристор силовой, импорт>80A, 1200V50$10,67
149Токоотвод  для  тиристоров серии T142Huajing10$0,56
150T151-100-12      <Тиристор силовой, импорт>100A, 1200V3$21,53
151T100S        (Штыревой тиристор  80A, 1200V)Импортн. исп3$13,04
152T161-160-12      <Тиристор силовой, импорт>160A, 1200V3$32,55
153T161-160-16      <Тиристор силовой, импорт>160A, 1600V3$32,55
154T161-200-12      <Тиристор силовой, импорт>200A, 1200V3$39,53
155T171-250-12      <Тиристор силовой, импорт>250A, 1200V3$52,31
156T171-250-16      <Тиристор силовой, импорт>250A, 1600V3$52,31
158T171-320-12      <Тиристор силовой, импорт>320А, 1200V3$58,13
159T171-320-16      <Тиристор силовой, импорт>320А, 1600V3$58,13
160TБ271-250-14  <Быстродействующий Тиристор>250А, 1400V3$64,03
161T123-320-12     <Дисковый Тиристор, импорт>320A, 1200V3$52,17
162T133-320-24     <Дисковый Тиристор, импорт>320A, 2400V3$61,66
163T133-400-16     <Дисковый Тиристор, импорт>400A, 1600V3$64,03
165T143-500-12     <Дисковый Тиристор, импорт>500A, 1200V3$47,43
166T143-500-16     <Дисковый Тиристор, импорт>500A, 1600V3$68,77
168T143-630-12     <Дисковый Тиристор, импорт>630A, 1200V3$54,54
169T143-630-16     <Дисковый Тиристор, импорт>630A, 1600V3$71,15
170T143-800-12     <Дисковый Тиристор, импорт>800A, 1200V3$74,70
171T253-800-16     <Дисковый Тиристор, импорт>800A, 1600V3$97,23
172T253-1000-12   <Дисковый Тиристор, импорт>1000A, 1200V3$103,63
173T253-1000-18   <Дисковый Тиристор, импорт>1000A, 1800V3$106,72
174T253-1250-18   <Дисковый Тиристор, импорт>1250A, 1800V3$123,32
176TБ243-500-16  <Быстродействующий Тиристор>500A, 1600V3$78,26
177SKKT57-12E     (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$19,84
178SKKT72-12E     (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$21,33
179SKKT92-12E     (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$23,56
180SKKT92-18E     (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$23,56
182SKKT106-12E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$24,80
183SKKT106-14E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$24,80
184SKKT106-18E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$25,30
185SKKT122-14E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$52,17
186SKKT162-14E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$54,54
187SKKT250-14E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$94,86
188SKKT330-16E   (Модуль Тиристорный, импорт)SEMICRON1$120,95
189SKKL92-16E     (Диодно-Тиристорный модуль)SEMICRON1$21,34
190SKKH72-16E     (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$20,39
191SKKH92-12E     (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$21,34
192SKKH92-16E     (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$21,34
193SKKH106-12E   (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$22,05
194SKKH106-16E   (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$22,05
195SKKH162-14E   (Тиристор-Диодный модуль)SEMICRON1$50,99
196TC122-25-12         <CИМИСТОР силовой>25A, 1200V10$5,22
197TC132-50-12         <CИМИСТОР силовой>50A, 1200V10$10,20
198TC132-50-14         <CИМИСТОР силовой>50A, 1400V10$10,20
199TC142-80-12         <CИМИСТОР силовой>80A, 1200V10$14,23
200TC142-80-14         <CИМИСТОР силовой>80A, 1400V10$14,23
201TC161-160-12       <CИМИСТОР силовой>160A, 1200V3$35,57
202TC161-200-12       <CИМИСТОР силовой>200A, 1200V3$40,32
203TC171-320-12       <CИМИСТОР силовой>320A, 1200V3$54,54
205QM 50DY-24      <IGBT МОДУЛЬ - 50A, 1200V>MITSUBISHI1$64,17
207QM 75DY-24      <IGBT МОДУЛЬ - 75A, 1200V>MITSUBISHI1$92,23
209QM 100DY-2H   <IGBT МОДУЛЬ - 100A, 1000V>MITSUBISHI1$100,44
210QM 100DY-24   <IGBT МОДУЛЬ - 100A, 1200V>MITSUBISHI1$100,44
211QM 150DY-2H   <IGBT МОДУЛЬ - 150A, 1000V>MITSUBISHI1$114,39
212QM 150DY-24   <IGBT МОДУЛЬ - 150A, 1200V>MITSUBISHI1$114,39
213QM 200DY-2H   <IGBT МОДУЛЬ - 200A, 1000V>MITSUBISHI1$148,80
215QM 200DY-24   <IGBT МОДУЛЬ - 200A, 1200V>MITSUBISHI1$148,80

IGBT (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor — биполярный транзистор с изолированным затвором) — силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

Данный тип приборов создан в начале 1980-х гг, запатентован International Rectifier в 1983. Первые IGBT не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е гг) и третье (современное) поколения IGBT в целом исправили эти пороки. IGBT сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:
  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от транзисторов с изолированным затвором
  • низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии — от биполярных транзисторов.

Диапазон использования - от десятков А до 1200 А по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков А и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МДП (MOSFET) — транзисторов, а не IGBT.

Применение

Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

Широкое применение IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.

Применение IGBT модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий к.п.д., высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.

IGBT применяют при работе с высокими напряжениями (>1000 В), высокой температурой (>100°C) и высокой выходной мощностью (>5 кВт). IGBT используются в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота <50 кГц).

На рис. 1 показаны области в пространстве мощность-частота, занимаемые различными типами полупроводниковых устройств. Как видно на рисунке, IGBT и MOSFET занимают диапазон средних мощностей и частот, частично «перекрывая друг друга». В общем случае, для высокочастотных низковольтных каскадов наиболее подходят MOSFET, а для высоковольтных мощных - IGBT.

В некоторых случаях IGBT и MOSFET - полностью взаимозаменяемы. Цоколевка приборов и характеристики управляющих сигналов обоих устройств - одинаковы. IGBT и MOSFET требуют 12...15 В для полного включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения. Но «управляемый напряжением» не значит, что схеме управления не нужен источник тока. Затвор IGBT или MOSFET для управляющей схемы представляет собой конденсатор с величиной емкости, достигающей тысяч пикофарад (для мощных устройств). Драйвер затвора должен «уметь» быстро заряжать и разряжать эту емкость, чтобы гарантировать быстрое переключение транзистора.

 


Доставка заказов в другие города Украины в течении 2-х дней.
+380(44) 360-67-07  (INTERTELECOM)
+380(67) 979-41-03  (КYIVSTAR)
+380(39) 459-91-57 (КYIVSTAR)

Пример изображения
Принимаем заказы:.
MAILTO: Этот e-mail защищен от спам-ботов. Для его просмотра в вашем браузере должна быть включена поддержка Java-script
ICQ: 380971020

SKYPE: sokhan99